06/05/2006 17:33, Александр Фомин - <a href='http://www.3dnews.ru/news/pervie_moduli_ddr3_ot_nanya_uzhe_skoro-160148/' target='_blank'>http://www.3dnews.ru/news/pervie_moduli_dd...e_skoro-160148/</a>
Тайваньская компания Nanya Technology собирается предоставить своим клиентам образцы памяти DDR3 DIMM уже во второй половине 2006 года. По словам Пей-Лин Пая (Pei-lin Pai), вице-президента компании по мировым продажам и маркетингу, компания не рассчитывает на какие-либо существенные доходы от DDR3 сектора до начала 2008 года. В текущем году ячейки будут создаваться по 90-нм нормам, а по мере приближения массовых продаж чипы сменят техпроцесс на 70-нм. Предположительно это должно произойти в 2008 году.
Работая при меньшем напряжении (1,5 В против 1,8 В у DDR2) и с 8-битной предвыборкой (DDR2 использует 4-битную предвыборку), а также имея встроенный термосенсор, модули DDR3 начнут свою жизнь с частоты 800 МГц (DDR3-800) и продолжат вплоть до 1600 МГц (DDR3-1600). Для CAS латентности предполагается диапазон от 5 до 10 тактов (DDR2 CAS варьирует от 3 до 5). Нет сомнения, что популярные оверклокерские бренды смогут превысить стандартные характеристики. Также DDR3 сможет похвастаться такими технологиями как частичное автоматическое обновление (PASR, Partial Array Self Refresh) и автоматическое обновление (ASR, Auto Self Refresh). Упаковка предполагается двух видов: 78 FBGA (для х4 и х8 компонент) и 96 FBGA (для х16 компонент).
Стандартные спецификации DDR3 пока еще обсуждаются в JEDEC, окончательное утверждение намечено на первый квартал 2008 года. А пока на проходящей выставке SemiTech компания Nanya демонстрирует не буферизированные модули DDR3 емкостью 1 Гб, основанные на 512 Мбит чипах DDR3-1066, обеспечивающие пропускную способность в 8,5 Гб/с (PC3-8500).
* digitimes.com
